Dr. Henning Döscher

Fraunhofer-Institut für
System- und Innovationsforschung ISI

Werdegang

2000–2007: Diplomstudium Physik/Physikalische Technologien an der Technischen Universität Clausthal; Schwerpunkte: Oberflächen- und Materialphysik; Forschungsaufenthalte: Cairo University, Giza, Ägypten (2004), North Carolina State University, Raleigh, North Carolina, USA (2005)

2001–2007: Diplomstudium Wirtschaftsinformatik an der Technischen Universität Clausthal; Forschungsaufenthalt: University of Wisconsin, Madison, Wiconsin, USA (2006)

2006–2011: Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (bis 2008 Hahn-Meitner-Institut) im Institut Materialien für die Photovoltaik

2008–2010: Promotionsstudium der Naturwissenschaften am Institut für Physik der Humboldt-Universität zu Berlin; Dissertation: „Benchmarking surface signals when growing GaP on Si in CVD ambients“

2011–2015: Wissenschaftlicher Mitarbeiter an der Technischen Universität Ilmenau im Institut für Physik

2012–2015: Marie Curie International Outgoing Fellowship der Europäischen Union – Entsendung an das National Renewable Energy Laboratory in Golden, Colorado, USA

2015–2017: Wissenschaftlicher Mitarbeiter an der Philipps-Universität Marburg im Institut für Physik und am Wissenschaftlichen Zentrum für Materialwissenschaften

Seit 2017: Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Fraunhofer-Institut für System- und Innovationsforschung ISI im Competence Center Neue Technologien

Arbeitsschwerpunkte

  • Innovationssystemanalysen zu neuen Technologien (Schlüsseltechnologien – Key Enabling Technologies) im Bereich Materialwissenschaften

  • Wissenschaftlich-technische Entwicklungen, Potenzialanalysen, Markt- und Zukunftsstudien unter Nutzung von Techniken des Roadmapping, Monitoring, Benchmarking, Modellierung, Expertenworkshops und -befragungen, etc.

Sonstige Forschungsinteressen

  • Oberflächen- und Materialphysik: in situ Analytik, Photoelektronenspektroskopie, Strukturaufklärung

  • Materialwissenschaft: Chemische Gasphasenabscheidung, Verbindungshalbleiter, Heterostrukturen

  • Erneuerbare Energien: Solare Brennstoffe, Hocheffiziente Photovoltaik, Photoelektrochemie

Projekte

  • WiSKoS – Wirtschaftsspionage und Konkurrenzausspähung in Deutschland und Europa

Ausgewählte Publikationen

Döscher, H.; Hens, P.; Beyer, A.; Tapfer, L.; Volz, K.; Stolz, W. (2017): GaP-interlayer formation on epitaxial GaAs(100) surfaces in MOVPE ambient. In: Journal of Crystal Growth 464, S. 2-7.

Young, J.; Steiner, M.; Döscher, H.; France, R.; Turner, J.; Deutsch, T. (2017): Direct solar-to-hydrogen conversion via inverted metamorphic multi-junction semiconductor architectures. In: Nature Energy 2, 17028.

Döscher, H.; Young, J.; Geisz, J.; Turner, J.; Deutsch, T. (2016): Solar-to-hydrogen efficiency: shining light on photoelectrochemical device performance. In: Energy & Environmental Science 9, S. 74-80.

Döscher, H.; Geisz, J.; Deutsch, T.; Turner, J. (2014): Sunlight absorption in water – efficiency and design implication for photoelectrochemical devices. In: Energy & Environmental Science 7, S. 2951-2956.

Döscher, H. (2013): GaP Heteroepitaxy on Si(100). Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients. Springer International Publishing, Switzerland.

Döscher, H.; Supplie, O.; May, M.; Sippel, P.; Heine, C.; Munoz, A.; Eichberger, R.; Lewerenz, H.; Hannappel, T. (2012): Epitaxial III-V films and surfaces for photoelectrocatalysis. In: ChemPhysChem 13, S. 2899-2909.

Supplie, O.; Hannappel, T.; Pristovsek, M.; Döscher, H. (2012):In situ access to the dielectric anisotropy of buried III-V/Si(100) heterointerfaces. In: Physical Review B 86, 035308.

Döscher, H.; Borkenhagen, B.; Lilienkamp, G.; Daum, W.; Hannappel, T. (2011): Observation of Gallium Phosphide Anti-Phase Disorder by Low Energy Electron Microscopy. In: Surface Science 605, S. L38-L41.

Döscher, H.; Lilienkamp, G.; Iskra, P.; Daum, W.; Helsch, G.; Becker, S.; Wrobel, R.-J.; Weiss, H.; Suchorski, Y. (2010): High quality ZrO₂/Si(100) thin film by a sol-gel process: preparation and characterization. In: Journal of Applied Physics 107, 094103.

Wolters, J.; Schell, A.; Kewes, G.; Nüsse, N.; Schoengen, M.; Döscher, H.; Hannappel, T.; Löchel, B.; Barth, M.; Benson, O. (2010): Enhancement of the zero phonon line emission from a single nitrogen vacancy center in a nanodiamond via coupling to a photonic crystal cavity. In: Applied Physics Letters 97, 141108.

Döscher, H.; Hannappel, T.; Kunert, B.; Beyer, A.; Volz, K.; Stolz, W. (2008): In situ verification of single-domain III-V on Si(100) growth via metal-organic vapor phase epitaxy. In: Applied Physics Letters 93, 172110.

Nosek, A.; Conzen, J.; Döscher, H.; Martin, C.; Blanchard, J. (2007): Thermomechanics of candidate coatings for advanced gas reactor fuels. In: Journal of Nuclear Materials 371, S. 288-303.

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